[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-1] AlGaN傾斜組成キャップ層の形成によるn型AlNの接触抵抗の低減

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN、AlGaN

傾斜組成AlGaNキャップ層の形成によるn型AlNの接触抵抗低減を試みた。I-V特性においてAlN単層では、良好なオーミック接触は得られず1 V印加時の電流は3 nA程度であった。一方、電圧傾斜組成AlGaNの試料ではオーミック接合が得られ、1 V印加での電流は5 uAと約３桁の電流増大が確認された。