[7p-S22-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[7p-S22-12] Simulation for JFET based GaN Power Devices with Schottky Contact Model

〇Daisuke Hagishima¹, Takuo Kikuchi¹, Satoshi Ishikawa¹ (1.Toshiba Corporation)

Keywords:semiconductor, pGaN Gate Device, Schottky Contact Model

ゲート電極にp型窒化ガリウム（pGaN）を用いたJFET デバイスは、次世代半導体パワーデバイスとして期待されている。デバイス開発において重要な閾値電圧(Vth)の制御に対して、メタル電極とpGaNゲート間のショットキー接合の影響が報告されている。しかしながら、pGaNキャリア濃度や構造寸法のVthへの影響は、明確になっていない。本研究では、pGaNゲート電極周りの物性・構造に着目し、TCAD(Technology CAD)を用いてショットキー接合のVthへの影響を解析する。