[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-12] ショットキー障壁を考慮したJFET型GaNパワーデバイスTCADシミュレーション

〇萩島 大輔¹、菊地 拓雄¹、石川 諭¹ (1.(株)東芝)

キーワード：半導体、pGaNゲートデバイス、ショットキーモデル

ゲート電極にp型窒化ガリウム（pGaN）を用いたJFET デバイスは、次世代半導体パワーデバイスとして期待されている。デバイス開発において重要な閾値電圧(Vth)の制御に対して、メタル電極とpGaNゲート間のショットキー接合の影響が報告されている。しかしながら、pGaNキャリア濃度や構造寸法のVthへの影響は、明確になっていない。本研究では、pGaNゲート電極周りの物性・構造に着目し、TCAD(Technology CAD)を用いてショットキー接合のVthへの影響を解析する。