[7p-S41-1~15] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

△ [7p-S41-7] 量子磁束パラメトロン回路で構成されたランダムアクセスメモリセルの制御方法の検討

〇(M2)高山 広¹、竹内 尚輝^2,3、山梨 裕希^1,2、吉川 信行^1,2 (1.横浜国大院工、2.横浜国大IAS、3.JSTさきがけ)

キーワード：超伝導体、量子磁束パラメトロン、ランダムアクセスメモリ

本研究では、超低消費電力なAQFP回路と互換性のあるメモリシステムの実現を目的とし、QFP回路で構成されたランダムアクセスメモリセルを提案した。これまでに提案したメモリセルでは、書き込みと読み出し制御に必要な制御電流の数は5つであり、メモリセルの駆動に必要なコストが大きくなっていた。今回、このコストを減らすために制御電流の数を3つに削減したメモリセルについて検討した。