[7p-S43-1~17] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[7p-S43-3] PLD法の成膜条件がSmBCO薄膜の拡散係数や過飽和度に与える影響

〇一野 祐亮¹、島崎 直人¹、土屋 雄司¹、吉田 隆¹ (1.名大院工)

キーワード：REBCO超伝導体、パルスレーザー蒸着法、過飽和度

パルスレーザー蒸着(PLD)法などの気相法で成膜したREBCO膜の配向性やBMOの自己組織化には、拡散距離などの結晶成長パラメータが影響を与える。これらの結晶成長パラメータは、基板温度やレーザー繰り返し周波数などのPLD法の諸条件によって大きく変化する。また、過剰な過飽和条件下では臨界電流密度の阻害要因となるa軸配向粒が成長する問題点がある。本研究では、PLD法において成膜パラメータがREBCO薄膜の結晶成長パラメータに与える影響を明らかにするため、様々な条件下で作製したSmBCO薄膜の表面形態を詳細に観察し、結晶成長パラメータの評価を行った。