[7p-S45-1~14] 3.7 レーザープロセシング

△ [7p-S45-12] フェムト秒レーザ照射によるダイヤモンド単結晶表面への改質導入とアニールに伴う変化

〇二村 大¹、川上 博貴¹、植木 智之¹、富田 卓朗¹、岡田 達也¹、田中 康弘² (1.徳島大工、2.香川大工)

キーワード：ダイヤモンド、フェムト秒レーザ

ダイヤモンド単結晶表面にフェムト秒レーザをラインスキャンしながら照射し，改質を導入した．照射後の結晶にAl薄膜を蒸着し，断面TEM観察を行った．改質部はダイヤモンド単結晶，アモルファスカーボン，グラファイト及び，侵入したAl結晶から構成されていた．400℃-600sアニールを行った試料の断面TEM観察を行ったところ，改質部全体がアモルファス化した．