[7p-S45-1~14] 3.7 レーザープロセシング

△ [7p-S45-14] 半導体材料内部への偏光依存ナノ周期構造形成における電子状態の影響

〇中西 佑太¹、下間 靖彦¹、坂倉 政明²、三浦 清貴¹ (1.京大院工、2.次世代レーザープロセッシング技術研究組合)

キーワード：ナノグレーティング、半導体、フェムト秒レーザー

半導体材料内部にフェムト秒レーザーを集光照射すると、偏光依存ナノ周期構造が形成する。これまで間接遷移型半導体でのみナノ周期構造が確認されているが、形成メカニズムについては不明な点が多い。本研究では、Snのドープによりバンド構造が直接遷移型に変化するとの報告があるβ-Ga₂O₃の内部にフェムト秒レーザーを照射し、誘起される構造を比較した。また第一原理計算により半導体の電子状態とナノ周期構造との関係を明らかにした。