[8a-A201-1~8] 15.1 Bulk crystal growth

[8a-A201-7] Crystal Growth of Ca₃Ta(Ga_1-xSc_x)₃Si₂O₁₄ Piezoelectric Single Crystals

〇(M2)Yu Igarashi¹, Yuui Yokota², Yuji Ohashi^2,3, Kenji Inoue³, Akihiro Yamaji¹, Yasuhiro shoji^1,4, Kei Kamada^2,3,4, Shunsuke Kurosawa^2,5, Akira Yoshikawa^1,2,3,4 (1.IMR Tohoku Univ., 2.NICHe Tohoku Univ., 3.Piezo Studio, 4.C&A, 5.Yamagata Univ.)

Keywords:piezoelectric crystal, micro-pulling-down method, langasite

圧電単結晶であるCa₃TaGa₃Si₂O₁₄ [CTGS]は、低消費電力で高い周波数温度安定性を持つ小型振動子としての活用が期待される。我々の先行研究でCTGSのGaサイトをイオン半径の小さなAlで置換したところ、Al置換量に伴う圧電定数d₁₁の系統的な増加、|d₁₄|の系統的な減少が確認された。本研究では、|d₁₄|の増加を目的としてCTGSのGaサイトにイオン半径がGaよりも大きなScイオンを置換し、単結晶の育成、評価を行った。