[8a-A201-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[8a-A201-7] Ca₃Ta(Ga_1-xSc_x)₃Si₂O₁₄圧電単結晶の結晶育成

〇(M2)五十嵐 悠¹、横田 有為²、大橋 雄二^2,3、井上 憲司³、山路 晃広¹、庄子 育宏^1,4、鎌田 圭^2,3,4、黒澤 俊介^2,5、吉川 彰^1,2,3,4 (1.東北大金研、2.東北大NICHe、3.Piezo Studio、4.C&A、5.山形大理)

キーワード：圧電結晶、マイクロ引き下げ法、ランガサイト

圧電単結晶であるCa₃TaGa₃Si₂O₁₄ [CTGS]は、低消費電力で高い周波数温度安定性を持つ小型振動子としての活用が期待される。我々の先行研究でCTGSのGaサイトをイオン半径の小さなAlで置換したところ、Al置換量に伴う圧電定数d₁₁の系統的な増加、|d₁₄|の系統的な減少が確認された。本研究では、|d₁₄|の増加を目的としてCTGSのGaサイトにイオン半径がGaよりも大きなScイオンを置換し、単結晶の育成、評価を行った。