2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8a-A202-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:00 A202 (202)

丸山 伸伍(東北大)

11:30 〜 11:45

[8a-A202-10] 電気化学堆積と硫黄アニールによるFeOOH/FeS2ヘテロ接合の作製

牧 采佳1、市村 正也1 (1.名工大)

キーワード:太陽電池、ヘテロ接合、パイライト

パイライト(FeS2)は0.95 eVのバンドギャップを持つ半導体であり、光吸収係数が大きく、かつ安価で無害であるため、良質な太陽電池材料として期待されている。また、電気化学堆積(ECD)法は、装置が単純であり、真空や加熱を必要としない安価な薄膜作製方法である。よって、ECD法と硫黄アニールによりγ-FeOOH(n型)/FeS2(p型)ヘテロ接合を作製した。ヘテロ接合からは、若干の整流性と光応答性がみられた。