[8a-A202-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8a-A202-4] ミスト CVD 法による Cu₂O 薄膜の作製と評価

〇若島 涼¹、河合 俊和¹、池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：半導体、亜酸化銅、ミストCVD法