[8a-A203-1~5] III-V semiconductor growth technology for innovative devices

[8a-A203-5] Selective-area growth of III-V nanowires and their device applications

〇Katsuhiro Tomioka¹, Junichi Motohisa¹ (1.GS-IST and RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:nanowire, MOVPE

近年、ナノメートルスケールの直径を有した半導体ナノワイヤが、次世代エレクトロ二クスやSiフォトニクスの基本材料として注目されている。半導体ナノワイヤ材料の成長手法としては、触媒金属を利用した気相-液相-固相（VLS）機構による成長がある。一方、我々はデバイス応用の観点から、MOVPE選択成長法によって半導体ナノワイヤを作製している。今回は、MOVPE選択成長法による半導体ナノワイヤの成長とそのデバイス応用について報告する。