[8a-A301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8a-A301-10] Thermoelectric properties of InGaN

〇Yuichi Ota¹ (1.TIRI)

Keywords:Nitride semiconductor, Thermoelectric materials, Electronic structure calculation

高In組成のInGaNの熱電特性をシミュレーションした。性能指数(ZT)を見積もるために、実験値を基に緩和時間と熱伝導率を算出した。その結果、高温領域(～1000 K)でInGaNは熱電変換材料として活用できる可能性があることを見出した。