11:30 AM - 11:45 AM
[8a-A301-10] Thermoelectric properties of InGaN
Keywords:Nitride semiconductor, Thermoelectric materials, Electronic structure calculation
高In組成のInGaNの熱電特性をシミュレーションした。性能指数(ZT)を見積もるために、実験値を基に緩和時間と熱伝導率を算出した。その結果、高温領域(~1000 K)でInGaNは熱電変換材料として活用できる可能性があることを見出した。