2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

岩谷 素顕(名城大)、赤坂 哲也(NTT)

11:30 〜 11:45

[8a-A301-10] InGaNの熱電特性

太田 優一1 (1.都産技研)

キーワード:窒化物半導体、熱電変換材料、電子状態計算

高In組成のInGaNの熱電特性をシミュレーションした。性能指数(ZT)を見積もるために、実験値を基に緩和時間と熱伝導率を算出した。その結果、高温領域(~1000 K)でInGaNは熱電変換材料として活用できる可能性があることを見出した。