2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

岩谷 素顕(名城大)、赤坂 哲也(NTT)

09:15 〜 09:30

[8a-A301-2] サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の面発光分析

梅原 直己1、川原崎 匠2、名嘉真 朝泰2、光野 徹也2、小南 裕子2、原 和彦1,3 (1.静岡大創造大院、2.静岡大院工、3.静岡大電子研)

キーワード:六方晶窒化ホウ素、化学気相法、薄膜

我々は、サファイア基板上へのh-BN薄膜の作製技術の確立に取り組んでおり、これまでにBCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いたc面サファイア基板上への薄膜の作製を報告してきた。しかしながら、デバイス応用の観点からは、表面平坦性などの特性は不十分であり、更なる向上が求められる。本発表では、薄膜の高品質化に向けた成長条件探索の一環として、カソードルミネッセンス(CL)の面発光分析により、膜構造と発光特性の関係を調査した結果を報告する。