2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

岩谷 素顕(名城大)、赤坂 哲也(NTT)

10:30 〜 10:45

[8a-A301-6] 三次元InGaN量子井戸におけるIn組成のファセット間分布に関する考察

〇(D)松田 祥伸1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大工院)

キーワード:有機金属気相成長法、選択成長法、多色発光

三次元InGaN量子井戸は,蛍光体フリーな白色光源として有望な構造である.しかし,本構造における量子井戸構造特性のファセット間分布について,(0001)および(-1-12-2)面上三次元量子井戸ではInリッチQWが形成されるファセット面が異なることが報告されており,その原因は明らかになっていない.そこで本研究では,(0001)および(-1-12-2)面上三次元量子井戸におけるファセット間での成長原料の移動について考察を行った.