2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

岩谷 素顕(名城大)、赤坂 哲也(NTT)

11:15 〜 11:30

[8a-A301-9] 窒素極性 InN/GaN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長

赤坂 哲也1、Schied Monika1、熊倉 一英1 (1.NTT物性基礎研)

キーワード:窒化インジウム、有機金属気相エピタキシ、ダブルヘテロ構造

窒素極性InN(000-1)層をGaNバリア層で挟んだInN/GaNダブルヘテロ(DH)構造をMOVPEにより作製した。その際、同構造のGaNキャップ層の成長温度を最適化することで、GaNキャップ層成長中のInN層の熱分解や結晶欠陥の発生を抑えることができ、その結果、急峻な界面や高効率のバンド端PL発光を有するDH構造が得られた。