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[8a-A301-9] 窒素極性 InN/GaN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長
キーワード:窒化インジウム、有機金属気相エピタキシ、ダブルヘテロ構造
窒素極性InN(000-1)層をGaNバリア層で挟んだInN/GaNダブルヘテロ(DH)構造をMOVPEにより作製した。その際、同構造のGaNキャップ層の成長温度を最適化することで、GaNキャップ層成長中のInN層の熱分解や結晶欠陥の発生を抑えることができ、その結果、急峻な界面や高効率のバンド端PL発光を有するDH構造が得られた。