[8a-A405-1~12] 3.9 Terahertz technologies

[8a-A405-7] Lock-in detection of the terahertz wave by InAs MOSHEMT on quartz glass

〇Eiji Kume¹, Hiroyuki Ishii², Wen-Hsin Chang², Mutsuo Ogura¹, Haruichi Kanaya³, Tanemasa Asano³, Tatsuro Maeda² (1.IRspec Corp., 2.AIST-NeRI, 3.Kyushu Univ.)

Keywords:terahertz, MOSHEMT on quartz glass

THz-GSG プローブを用いてテラヘルツ波を石英基板上に作製したInAs MOSHEMTに直接入力し、 ドレイン電圧の応答をロックイン検出した。検出電圧はテラヘルツ波の入力電力に正比例し、その傾き、即ち入力検波感度(R_v)は175 V/W であった。また、検出時のチャネル抵抗から求めた雑音等価電力(NEP)は、591 pW/Hz^0.5 と見積もられた。