[8a-A405-1~12] 3.9 テラヘルツ全般

[8a-A405-7] 石英基板上のInAs MOSHEMT によるテラヘルツ波のロックイン検出

〇久米 英司¹、石井 裕之²、Chang Wen-Hsin²、小倉 睦郎¹、金谷 晴一³、浅野 種正³、前田 辰郎² (1.アイアールスペック、2.産総研ナノエレ、3.九大シス情)

キーワード：テラヘルツ、MOSHEMT on 石英基板

THz-GSG プローブを用いてテラヘルツ波を石英基板上に作製したInAs MOSHEMTに直接入力し、 ドレイン電圧の応答をロックイン検出した。検出電圧はテラヘルツ波の入力電力に正比例し、その傾き、即ち入力検波感度(R_v)は175 V/W であった。また、検出時のチャネル抵抗から求めた雑音等価電力(NEP)は、591 pW/Hz^0.5 と見積もられた。