[8a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

[8a-A414-1] 窒化ガリウム中の単一希土類元素からの発光観測を目指したイオン注入法および熱処理条件の検討

〇佐藤 真一郎¹、岡田 浩²、出来 真斗³、若原 昭浩²、大島 武¹ (1.量研、2.豊橋技科大、3.名大)

キーワード：窒化ガリウム、希土類添加、単一光子発生

窒化ガリウム(GaN)中の希土類元素は狭い線幅で高強度の発光を示すことから、光子を1個ずつ任意のタイミングで発生させる単一光子源への応用が期待できる。しかし、GaN中の単一希土類元素からの発光を観測した例はなく、単一光子源の実現のために必要となる条件は不明である。今回は、GaN基板の選定、希土類イオン注入と熱処理条件についての検討を行った。