[8a-A414-1~8] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[8a-A414-5] Impact of Oxygen Coimplantation on Erbium Distribution in Silicon

〇Yasuo Shimizu¹, Yuan Tu¹, Ayman Abdelghafar², Yudai Suzuki², Keinan Gi², Takashi Tanii², Takahiro Shinada³, Enrico Prati⁴, Michele Celebrano⁵, Marco Finazzi⁵, Lavinia Ghirardini⁵, Koji Inoue¹, Yasuyoshi Nagai¹ (1.IMR Tohoku Univ., 2.Waseda Univ., 3.CIES Tohoku Univ., 4.IFN-CNR, 5.Politecnico di Milano)

Keywords:erbium, oxygen, atom probe

Siに添加されたErは，通信波長帯1.5 μmに相当する不純物準位を形成するため，シリコンフォトニクス分野においてその発光特性に関する研究が盛んに行われてきた．最近では，Erと共に酸素を添加することで形成されるErO_x複合体によって，高効率な発光特性が得られることが報告されている．我々はこれら添加元素の分布と発光の関連を明らかにするべく，原子レベルで元素の実空間分布を得る３次元アトムプローブ法を適用してSi中に共注入したErと酸素の分布を調べてきた．今回は酸素濃度依存性に着目し，共注入した酸素がEr分布に与える影響を報告する．