[8a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

[8a-A414-6] サファイア基板上ZnGa₂O₄:Euエピタキシャル膜の発光特性

〇赤沢 方省¹、篠島 弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

キーワード：ZnGa2O4、フォトルミネッセンス、Eu3+イオン

ワイドギャップ半導体ZnGa₂O₄は、希土類イオン（Eu³⁺）をドープすることで良好な発光材料として機能する。Eu³⁺イオンの発光サイトへの収納が発光強度に大きく影響することから、従来のシリコン基板に変えて、サファイア基板を用いて特性の変化を調べた。H₂Oガスによる成膜ではランダム配向、O₂ガスではエピタキシャルになり、それを反映した発光特性が得られた。