[8a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

[8a-A414-8] Er₂O₃/Y₂O₃超格子の構造解析および発光特性評価

〇尾身 博雄^1,2、平石 真也^1,3、俵 毅彦^1,2,3、山本 秀樹¹ (1.NTT物性基礎研、2.NTTナノフォトセンタ、3.東京理科大)

キーワード：エルビウム、分子線エピタキシャル成長

前回我々は、Si基板上にエピタキシャル成長したEr₂O₃膜からの発光を増強させることを目的としてEr₂O₃(格子定数: a=10.548Å)とY₂O₃(a=10.60Å)の超格子をSi(111)基板上にMBE成長し、Er₂O₃層の膜厚が小さいほどErからの波長1.5μmの発光強度が増加することを報告した。今回は、Si(111)上にMBE成長したEr₂O₃/Y₂O₃超格子を斜入射X線回折で詳細に評価した結果について報告する。