[8a-A504-1~13] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [8a-A504-9] Negative Electrocaloric Effect in Epitaxial Y-doped HfO₂ Thin Film

〇(M2)Shogo Matsuo¹, Tomoaki Yamada¹, Takanori Mimura², Takao Shimizu², Hiroshi Funakubo², Masahito Yoshino¹, Takanori Nagasaki¹ (1.Nagoya Univ., 2.Tokyo Tech.)

Keywords:electrocaloric effect, ferroelectric thin film, HfO2

HfO₂基強誘電体を電気熱量(EC)効果に用いることで、半導体デバイスに適用できる可能性がある。Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜は負のEC効果を示し、その理由は薄膜が多結晶で、正方晶常誘電相が混在するためと議論されているが、詳しいメカニズムについては明らかになっていない。そこで、エピタキシャル7%YO_1.5添加HfO₂ を用いてEC効果を評価した結果、この薄膜においても負のEC効果を示した。この理由の可能性として、低温で分極がピンニングされたことがあげられる。