The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[8a-C11-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Fri. Sep 8, 2017 9:00 AM - 12:15 PM C11 (Office 1)

Haruhiko Udono(Ibaraki Univ.), Kenji Yamaguchi(QST)

11:45 AM - 12:00 PM

[8a-C11-11] Substitutional Effect of Tin Oxide in Conductive Vanadate Glass

〇(M1)Yuki Fujita1, Tomoka Izumi1, Shiro Kubuki2, Tetsuaki Nishida1, Nobuto Oka1 (1.Kindai University, 2.TMU)

Keywords:semiconductor, vanadate glass

V2O5を主成分とするバナジン酸塩ガラス、例えば20BaO・10Fe2O3・70V2O5はガラス転移温度または結晶化ピーク温度以上のアニーリング (再加熱)により、電気伝導度が5~6桁向上する[1]。本研究ではこの導電性バナジン酸塩ガラスに酸化スズを導入し、局所構造および電気特性の視点から原子レベルで材料評価を行った。