2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[8a-C11-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:15 C11 (事務室1)

鵜殿 治彦(茨城大)、山口 憲司(量研機構)

11:45 〜 12:00

[8a-C11-11] 導電性バナジン酸塩ガラスの酸化スズ添加効果

〇(M1)藤田 裕樹1、伊豆味 知佳1、久富木 志郎2、西田 哲明1、岡 伸人1 (1.近畿大学、2.首都大学東京)

キーワード:半導体、バナジン酸塩ガラス

V2O5を主成分とするバナジン酸塩ガラス、例えば20BaO・10Fe2O3・70V2O5はガラス転移温度または結晶化ピーク温度以上のアニーリング (再加熱)により、電気伝導度が5~6桁向上する[1]。本研究ではこの導電性バナジン酸塩ガラスに酸化スズを導入し、局所構造および電気特性の視点から原子レベルで材料評価を行った。