[8a-C11-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[8a-C11-5] Si(111)上で原子層レベルの急峻な界面をもつEuO のMBE成長

〇大杉 廉人¹、尾身 博雄^1,2、クロッケンバーガー ヨシハル¹、藤原 聡¹ (1.NTT物性研、2.NTTNPC)

キーワード：シリコン、ユーロピウム酸化物、スピントロニクス

Euを 1 ML蒸着したEu-Si (111) (1×2)上に高偏極スピン注入源であるEuOを成長することにより、原子層レベルで平坦な界面を持つEuOのSi(111)上成長を初めて実現し、Si(111)上のEuOの成長メカニズムを明らかにした。この結果は、今回作製したSiと急峻な界面を持つEuO のMBE膜は、Siへの高偏極率スピン注入源として期待できる。