[8a-C11-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [8a-C11-7] Pseudo-MOS構造のC-V特性に及ぼす自然酸化膜の影響

〇鑓田 勲¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹ (1.関西大学大学院理工学研究科システム理工学専攻電気電子情報工学分野)

キーワード：Pseudo-MOSFET、自然酸化膜、Cole-Cole plot

デバイス製作前のSOI基板の電気的特性評価方法としてPseudo-MOSFET法が用いられている。本報告では、Pseudo-MOS構造のインピーダンス測定において、SOIウェハ上の自然酸化膜の影響について議論する。