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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[8a-C11-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:15 C11 (事務室1)

鵜殿治彦(茨城大)、山口憲司(量研機構)

11:00 〜 11:15

[8a-C11-8] II型Siクラスレート膜の表面自然酸化過程

〇(M2)浅野友紀¹、浦野和俊¹、大橋史隆¹、久米徹二¹、伴隆幸¹、野々村修一¹ (1.岐阜大工)

キーワード：Siクラスレート、半導体