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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[8a-C19-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2017年9月8日(金) 09:30 〜 11:45 C19 (C19)

澤野憲太郎(都市大)

10:00 〜 10:15

[8a-C19-3] 弱レーザー照射による非晶質GeSn/絶縁基板の固相成長の促進
― 薄膜化による置換Sn濃度の向上 ―

〇杉野貴之¹、茂藤健太¹、松村亮¹、宮尾正信¹、池上浩¹、佐道泰造¹ (1.九大システム情報)

キーワード：半導体、レーザアニール、固相成長