[8a-C24-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[8a-C24-10] 熱処理による硫化インジウム薄膜のキャリア制御

〇後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：硫化物半導体、熱処理、キャリア密度

我々は、熱処理によるIn-S薄膜の電気抵抗率の変化を調べ、キャリア生成機構の理解と制御を試みた。