[8a-C24-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[8a-C24-3] フラッシュランプアニールによるa-Si膜の結晶化に対する基板端部への起点作製の効果

〇佐藤 大暉¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：多結晶Si膜、フラッシュランプアニール

a-Si膜のFLAによる結晶化における、結晶化開始点の制御を試みた。スパッタ法により基板端部に部分的にa-Si膜を堆積した試料とそうでない試料に対し、Cat-CVD法を用いて基板全面にa-Si膜を堆積した後、FLAを行った。厚膜部を作製した試料のみ結晶化が観察され、これらのラマンスペクトルは結晶Si由来のピークを示した。よって、スパッタ法により堆積したa-Si膜はCat-CVD法で堆積したa-Si膜に対して、結晶化の起点として働く可能性があることを発見した。