2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[8a-C24-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:30 C24 (C24)

吉田 憲充(岐阜大)

09:45 〜 10:00

[8a-C24-4] アモルファスシリコン生成におけるプロトンの役割

豊島 安健1 (1.産総研省エネ)

キーワード:アモルファスシリコン、両極性拡散、プロトン

水素化アモルファスシリコン薄膜の高温領域における成長速度増大の活性化エネルギーが各種成長条件などに依存して変化する現象から、プラズマより両極性拡散により成長表面へ飛来するプロトンが薄膜形成に関与していることを示した。成長速度がほぼ一定である低温領域においても、この飛来するプロトンがSi-Si結合に挿入され、正電荷を保持した三中心結合を生成することが、アモルファス生成に寄与している可能性を示唆した。