The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[8a-C24-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Fri. Sep 8, 2017 9:00 AM - 12:30 PM C24 (C24)

Norimitsu Yoshida(Gifu Univ.)

10:00 AM - 10:15 AM

[8a-C24-5] Solid-phase crystallization and characterization of bismuth vanadate oxide thin films by thermal treatment under uniaxial compression

Shoyo Ito1, Rhotaro Namba1, Nobuo Tutimine2, Satoru Kaneko1,3, Akihumi Matuda1 (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu. Co., Ltd., 3.Kanagawa Ind. Sci. Tech.)

Keywords:bismuth vanadate oxide thin films, thermal treatment under uniaxial compression, oxygen ion conductor

層状構造をとるBi2VO5やBi2VO5.5は,酸素空孔に起因する酸素イオン伝導体として注目される。これまでにBi2VO5(V; 4+)は粉末固相反応法などにより作製されてきたが,単相および結晶配向性薄膜の作製やその物性に関する報告はまだ少ない。本研究では,Bi2VO5の結晶相と配向性制御および物性評価を目的として,一軸加圧下におけるBi-V-O系薄膜の固相結晶化が結晶相および特性にどのような影響を与えるか検討した。