[8a-C24-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [8a-C24-7] Gamma-ray irradiation induced effects on GeTe thin films

〇(B)Hyoseong Park¹, Isao Yoda², Shigeo Kawasaki³, Toshihiro Nakaoka¹ (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Tech, 3.JAXA)

Keywords:GeTe, Gamma-ray, Photodoping

GeTe薄膜は相変化材料としてAgとの電気化学的反応の研究で可視光、X線など光照射下においてAgとの異常拡散現象(フォトドーピング)が多数報告されている。しかし、γ線照射の影響による異常拡散現象の報告例は非常に少ない。
本研究はスパッタリングにより、GeTe膜厚の上にEB蒸着によりAg-Ag電極を作製し、γ線を照射で吸収線量の依存による銀電極近傍の変化を観察した。講演では拡散の詳細、電極材料による変化、電気伝導度の変化を合わせて報告する予定である。