[8a-PA1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[8a-PA1-4] 電子線後方散乱回折法によるp+HPHTダイヤモンドの結晶性評価

〇(M1)松下 晃生¹、芦田 晃嗣¹、堂島 大地¹、土田 有記¹、金子 忠昭¹、鹿田 真一¹ (1.関学大理工)

キーワード：ダイヤモンド

現在、高濃度硼素添加p+低抵抗ダイヤモンド(10^-2Ωcm)の結晶成長は、高圧高温(HPHT)法にて作製した高品質undope絶縁結晶(10¹³Ωcm)を種結晶として気相合成（CVD）する手法が主となっている。しかし大きな抵抗率差に起因する格子歪が発生すると予想されることから、その代替案として高濃度硼素添加p+HPHT基板を種結晶として用いる事が提案されている。本発表では、電子線後方散乱回折(EBSD)法を用いることで、p+HPHT基板の結晶性および剛体回転について検討を行った。