[8a-PA1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[8a-PA1-5] ダイヤモンド結晶欠陥のデバイス特性に及ぼす影響評価

〇(M1)明石 直也¹、関 章憲²、斎藤 広明²、川井 文彰²、鹿田 真一¹ (1.関学大理工、2.トヨタ自動車)

キーワード：ダイヤモンド

ダイヤモンド省エネパワーデバイスを目指して、結晶欠陥がデバイスに及ぼす影響に関し、従来絶縁性HPHT基板上の擬似縦型構造ショットキーバリアダイオード(SBD)を用いた研究がされている。本研究では縦型構造が可能なp+HPHT基板を用い、Ｘ線トポグラフィ像により結晶欠陥を調べ、欠陥の種類ごとに選択的にデバイスを形成した。このように作成したデバイスを用いて欠陥の種類ごとにデバイスの電気特性に及ぼす影響を調査した。