[8a-PA2-1~17] 6.4 薄膜新材料

[8a-PA2-11] 立方晶Ti_1-xAl_xNの電気的特性

〇吉川 真弘¹、外山 大貴¹、藤田 利晃²、長友 憲昭²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.三菱マテリアル)

キーワード：TiAlN、ホッピング伝導、結晶粒界

窒化物多結晶を用いた薄膜サーミスタは、高速熱応答性、平坦性、軽量化、狭い隙間や曲面への挿入や設置、折り曲げ環境下での使用などの特性を持つ。現在、Ti組成の低い六方晶TiAlNでは高いB定数が得られている。本研究では、比較的導電性が良くTi組成の高い立方晶TiAlNにおいて、10 Kから295 Kまでのホール効果測定を行い、立方晶TiAlNの電気伝導特性を解明した。