[8a-PA2-1~17] 6.4 Thin films and New materials

[8a-PA2-17] Fabrication of vanadium oxide-based amorphous thin film and electrical characterization

〇Yuki Fujimoto¹, Satoru Kaneko^2,1, Yoshisato Kimura¹, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.KISTEC)

Keywords:amorphous, semiconductor, thin film

我々のグループはガラスベースの酸化バナジウム系半導体について報告してきた。酸化バナジウムは強相関電子系であり、金属－絶縁体転移やホッピング伝導も知られている。一方で、広い酸化状態をとる遷移金属酸化物の酸化バナジウム系非晶質薄膜による伝導キャリアの制御は、デバイス応用に貢献できる。本研究では、V₂O₅-Bi₂O₃-WO₃系アモルファス薄膜を作製し、雰囲気や温度等の条件と組成比が構造変化ならびに電気特性へ及ぼす影響を評価した。