[8a-PA2-1~17] 6.4 薄膜新材料

[8a-PA2-17] 酸化バナジウム系アモルファス薄膜のPLD作製と電気特性評価

〇藤元 勇希¹、金子 智^2,1、木村 好里¹、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産総研)

キーワード：アモルファス、半導体、薄膜

我々のグループはガラスベースの酸化バナジウム系半導体について報告してきた。酸化バナジウムは強相関電子系であり、金属－絶縁体転移やホッピング伝導も知られている。一方で、広い酸化状態をとる遷移金属酸化物の酸化バナジウム系非晶質薄膜による伝導キャリアの制御は、デバイス応用に貢献できる。本研究では、V₂O₅-Bi₂O₃-WO₃系アモルファス薄膜を作製し、雰囲気や温度等の条件と組成比が構造変化ならびに電気特性へ及ぼす影響を評価した。