[8a-PA2-1~17] 6.4 薄膜新材料

[8a-PA2-6] RuO₂チップ抵抗体における高温･通電劣化プロセスの光学的観測

〇中村 吉伸¹、北中 佑樹¹、宮山 勝¹、伊藤 武²、浦野 幸一²、中島 智彦³、土屋 哲男³ (1.東大院工、2.KOA㈱、3.産総研)

キーワード：酸化ルテニウム、抵抗体、局所反射スペクトル

化学的安定性に優れるRuO₂薄膜によるチップ抵抗体素子は、250℃以上の環境でも動作するSiCパワーモジュール用抵抗体への応用展開も期待されるが、現実には高温環境下において抵抗体膜そのものの経時変化が認められなくても温度変化に伴う電極（Ag）の酸化など周辺構造の要因による経時劣化が懸念される。本研究では、RuO₂抵抗体の極限環境における熱劣化および通電劣化の主要因と考えられるRuO₂抵抗体膜-Ag電極界面における経時状態変化を光学的手法により評価し、その詳細な劣化メカニズムを検討した。