[8a-PA3-1~27] 12.4 有機EL・トランジスタ

[8a-PA3-21] 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタ

〇(M1)竹市 祐実¹、三谷 展弘¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：PbSコロイダルナノドット、硫化アンモニウム処理、電界効果トランジスタ

半導体コロイダルナノドット(CND)は、直径数ナノメートルの半導体ナノ結晶の表面に有機分子が配位した構造を持っており、溶液プロセスを用いて成膜することが出来る。本研究では、硫化アンモニウム処理によって配位子であるオレイン酸の除去を行ったPbS CND薄膜を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製した。絶縁性の高い配位子を除去することで薄膜の導電性が向上し、FETの動作を確認することができた。最大キャリア移動度は1.1×10^-3 cm²V^-1s^-1であった。