[8a-PA3-1~27] 12.4 有機EL・トランジスタ

[8a-PA3-22] フレキシブル有機デバイス応用に向けたIGZO-FETの低コスト作製プロセスの評価

〇山内 博¹、周 真平¹、岡田 悠悟²、酒井 正俊¹、飯塚 正明³、工藤 一浩¹ (1.千葉大工学研究院、2.千葉大先進科学、3.千葉大教育)

キーワード：IGZO、薄膜トランジスタ、フレキシブルデバイス

本研究ではウェットプロセスでの成膜が容易であり、かつ高い移動度が期待できる酸化物半導体材料としてa-IGZO(amorphous-InGaZnO₄)を用いたフレキシブル薄膜トランジスタを作製した。半導体薄膜の成膜に使用したa-IGZO溶液は金属塩および溶媒を用いてIGZO前駆体溶液とし、塗布後に焼成した。また、各溶液の使用量が調整できることから半導体材料の低コスト化を目的としてレアメタルであるInとGaの使用量の削減、及びフレキシブル基板への応用を目的として成膜プロセス温度の低温化について評価を行った。