[8a-PA4-1~31] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

[8a-PA4-1] Conduction control of p-type non-polar a-plane ZnO:N thin films on r-plane sapphire substrates by plasma-asisted molecular beam epitaxy

〇hirotake nakayama¹, Koichiro Hukutani¹, Naoki Maekawa¹, Tomoki Abe¹, Hirohumi Kasada¹, Takashi Ando¹, Kunio Ichino¹, Kazuaki Akaiwa¹ (1.Tottori Univ.)

Keywords:Zinc oxide, Nitrogen dorping, p-type coductivity

プラズマMBE法を用いて，r面サファイア基板上にa面NドープZnO薄膜の成長を行った．その結果，交流磁場ホール効果測定によってp型伝導を示したので報告する．