[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-1] 分子線エピタキシー法によるr面サファイア上の非極性a面ZnO:N薄膜の伝導制御

〇中山 景虎¹、福谷 晃一朗¹、前川 直樹¹、阿部 友紀¹、笠田 洋文¹、安東 孝止¹、市野 邦男¹、赤岩 和明¹ (1.鳥取大院)

キーワード：ZnO、窒素ドーピング、p型伝導

プラズマMBE法を用いて，r面サファイア基板上にa面NドープZnO薄膜の成長を行った．その結果，交流磁場ホール効果測定によってp型伝導を示したので報告する．