[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-15] ミストCVD法によるSnO_x薄膜の成長と酸化数制御

〇中村 幸¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：酸化物半導体、ミストCVD、酸化スズ