[8a-PA4-1~31] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

[8a-PA4-19] Effect of annealing on properties of ZnO-SnO₂ thin film transistors (III)

〇Kazuo Satoh¹, Shuichi Murakami¹, Yusuke Kanaoka¹, Yoshiharu Yamada¹, Yoshiharu Kakehi¹, Yusuke Kondo¹, Yoshiaki Sakurai¹ (1.ORIST)

Keywords:TFT, oxide, ZTO

ZnO-SnO₂（ZTO）は、安価で環境に対する負荷が小さい元素で構成されており、非加熱条件で成膜を行っても比較的高いHall移動度を示す。また、アモルファスになりやすく、可視光領域で良好な透過率を呈する。これらの特性を活かして、我々は、ZTOを用いた薄膜トランジスタ（TFT）の研究を進めている。本研究においては、窒素フローや真空条件における熱処理がTFT特性に与える影響を検討した。併せて、熱処理時間がTFT特性に与える影響を調べた。