[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-19] 熱処理がZnO-SnO₂を用いた薄膜トランジスタ特性に与える影響（III）

〇佐藤 和郎¹、村上 修一¹、金岡 祐介¹、山田 義春¹、筧 芳治¹、近藤 裕佑¹、櫻井 芳昭¹ (1.大阪産業技術研究所)

キーワード：TFT、酸化物、ZTO

ZnO-SnO₂（ZTO）は、安価で環境に対する負荷が小さい元素で構成されており、非加熱条件で成膜を行っても比較的高いHall移動度を示す。また、アモルファスになりやすく、可視光領域で良好な透過率を呈する。これらの特性を活かして、我々は、ZTOを用いた薄膜トランジスタ（TFT）の研究を進めている。本研究においては、窒素フローや真空条件における熱処理がTFT特性に与える影響を検討した。併せて、熱処理時間がTFT特性に与える影響を調べた。