[8a-PA4-1~31] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

△ [8a-PA4-20] Protonation-Induced Structural Change of MBE-Grown WO₃ Films

〇Wataru Kuwagata¹, Hiroki Mito¹, Kazuto Koike¹, Yoshiyuki Harada¹, Mitsuaki Yano¹, Katsuhiko Inaba², Shintaro Kobayashi² (1.Osaka Inst. of Tech., NMRC, 2.Rigaku Corp., X-Ray Res. Lab.)

Keywords:tungsten trioxide, protonation, structural change

前回我々は，r面サファイア基板上にMBE法で成長したmonoclinic構造のc軸配向WO₃薄膜を溶液ゲートタイプのエレクトロクロミック素子へ加工し，溶液ゲート表面を硫酸水溶液で満たしてバイアスを印加することで，プロトネーション効果を調べた．溶液中に浸した白金線に正バイアスを印加したところ，プロトネーションによってタングステンブロンズと水和物が生成され，その後の大気中保管で前者は数時間で消滅するが，後者は長期間保たれることを，水素の脱離過程を中心に報告した．今回，プロトネーションの初期過程すなわち水素注入による結晶構造の変化を詳しく調べたので報告する．